鉻靶材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用行業(yè)薄膜技術(shù)的發(fā)展趨勢密切相關(guān)。 隨著應(yīng)用行業(yè)中薄膜產(chǎn)品或組件技術(shù)的進步，鉻靶目標技術(shù)也應(yīng)隨之改變。

微電子領(lǐng)域：在所有應(yīng)用行業(yè)中，半導(dǎo)體行業(yè)對目標濺射膜鉻靶的質(zhì)量要求較為嚴格。 現(xiàn)在，已經(jīng)制造出12英寸（300插槽）的硅晶片。 但是，互連線的寬度正在減小。鉻靶價格、鉻靶批發(fā)制造商對鉻靶的要求是大尺寸，高純度，低偏析和細晶粒，這要求所制造的鉻靶具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。 鉻靶的結(jié)晶粒徑和均勻性被認為是影響膜沉積速率的關(guān)鍵因素。 

另外，薄膜的純度與靶材的純度有很大的關(guān)系。 

過去，純度為99.995％（4N5）的銅靶材可以滿足鉻靶價格、鉻靶批發(fā)制造商對0.35pm工藝的需求，但不能滿足當前0.25um工藝要求。 對于0.18um技術(shù)甚至0.13m工藝，要求的目標純度須達到5甚至6N或更高。 與鋁相比，銅具有更高的耐電遷移性和較低的電阻率。

鉻靶導(dǎo)體技術(shù)需要低于0.25um的亞微米布線，但帶來了其他問題：銅與有機介電材料之間的粘合強度低。 而且它很容易反應(yīng)，導(dǎo)致芯片的銅互連在使用過程中被腐蝕和斷開。 為了解決這些問題，需要在銅和電介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。 阻擋層材料通常使用具有高熔點和高電阻率的金屬及其化合物。

鉻靶材生產(chǎn)廠家-凱澤金屬告訴你，勢壘層的厚度要求小于50nm，并且對銅和電介質(zhì)材料的粘附性能良好。 銅互連和鋁互連的阻擋層材料不同。 需要開發(fā)新的目標材料。 銅互連阻擋層的目標材料包括Ta，W，TaSi，WSi等。但是Ta和W都是難熔金屬。 生產(chǎn)相對困難。 如今，正在研究鉬，鉻靶等作為替代材料。

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